资格2024年产能蔓延、价钱承压的环境之后，进入2025年，碳化硅（SiC）市集正走向价钱逐步企稳的阶段，同期也迎来AI范围新的发展契机。

业内东说念主士对21世纪经济报说念记者分析，天然本年碳化硅衬底价钱依然鄙人滑，但态势一经与2024年有所不同。而在运用层面，除了新能源汽车依然是碳化硅刻下最大运用市集除外，AI数据中心和AR眼镜等新场景也在静待爆发，有望怒放行业新的成长弧线。

图片起首：IC photo

逐步筑底

从宏不雅来看，碳化硅衬底范围公司依然靠近价钱竞争带来的阶段性压力，但比拟前一年似乎一经有所改善。

国内碳化硅衬底头部企业天岳先进此前发布的三季度财报显现，期内公司罢了交易收入3.18亿元，同比下落13.76%，前三个季度营收共计下落13.21%；三季度公司罢了归母净利润为亏蚀976万元，同比下滑123.72%，前三个季度共计下滑99.22%。

公告指出，营收下落的原因在于，为应酬热烈的市集竞争，扩大碳化硅居品的市集运用，争取更高市集份额，公司政策性调降了居品销售价钱。

净利润下行，则是主要受到居品销售价钱下落影响，交易收入及毛利减少；同期新址品客户测试送样使销售用度增多，大尺寸、新运用居品研发插足使研发用度增多，外汇汇率变动产生汇兑损益使财务用度同比增长。

天岳先进的弘扬亦然刻下碳化硅衬底行业浩繁靠近的竞争情况缩影。

回溯碳化硅衬底市集的价钱波动逻辑，CIC灼识商议董事总司理余陶然对21世纪经济报说念记者指出，相较于前几年由工艺改善带来良率升迁，2024年碳化硅衬底材料降价主如若由于产能蔓延，衬底厂商间的竞争加重。

“2024年的6英寸碳化硅导电型衬底全年降幅约达30%，部分厂商报价低于3000元每片，一经靠拢大多量厂商的老本线。本年天然延续了旧年的降价趋势，但合座来看，比旧年下落走势放缓，降价空间有限。其中，车规级和定制化居品类价钱依旧坚挺，而低端和通用性运用的衬底价钱竞争会相对热烈一些。”她进一步补充说念。

TrendForce集邦商议分析师龚瑞骄也告诉21世纪经济报说念记者，6英寸碳化硅衬底价钱在本年仍然有较较着的下滑趋势，但基本一经触底，瞻望后续价钱将相对沉稳。

关于碳化硅当今的市集心绪，在12月5日的线上投资者雷同行为中，天岳先进公司高管回答说念，居品价钱走势受宏不雅经济、供需规划及行业发展阶段等多重身分影响。近期行业产能结构络续优化，卑鄙去库存周期的渐渐推动，行业非感性竞争身分正在减少，价钱体系将会渐渐追思感性与贯通。

“公司感受到下搭客户采购意愿随行业需求回暖渐渐升迁，功率半导体与碳化硅市集正呈现积极态势。8英寸及12英寸居品当作行业主流升级主义，受益于新能源车、储能、数据中心、先进封装、AR光波导等范围的需求开释。”公司高管如斯指出。

国内除了扩产6英寸碳化硅衬底除外，积极推动向8英寸更大尺寸发展亦然紧要趋势。

余陶然对记者指出，国内8英寸衬底产能增速相配快，但和6英寸总量比拟体量仍有限。“表面上8英寸单元面积更大，折算到单颗芯片中，永恒有较着的老本摊薄上风，然而当今良率、建树折旧、工艺熟习度仍有超越空间，关于卑鄙厂商来说暂时莫得量产降本的较着成果。”

她同期提到，从6英寸切换到8英寸居品需要居品再行导入，存在一定周期，瞻望8英寸放量仍需一段时刻。“从运用上来看，新能源汽车是碳化硅功率器件最大的卑鄙，需求贯通增长，从6英寸切换到8英寸经济性上风较着，有望伊始成为8英寸量产落地的场景。”

AI新需求

不外在运用经由中，碳化硅也有不同的价值量体现。

余陶然对21世纪经济报说念记者分析说念，碳化硅的中枢材料上风在于其优异的高耐压特质，使其在千伏以下的中低压市集更易出现居品同质化和价钱竞争。

比拟之下，电网、轨说念交通等高压至超高压范围对晶体质地、器件结构和制造工艺的条件显贵提高，期间门槛与可靠性要领远超惯例功率器件，因此犀利保管更高的价值量与更郑重的价钱体系。

同期，在车规级运用中，碳化硅模块必须经过长周期的可靠性考据与功能安全认证，并与主机厂在平台人命周期内保捏缜密协同。这种深度绑定特质显贵提高了供应替代老本，使得该范围的竞争相对谦让、价钱韧性更强。

此外，繁荣兴旺发展的AI行业也正蔓延出对碳化硅的运用需求。

头部大厂一经抒发出对碳化硅的高度趣味趣味。英伟达本年5月在官网发布博文提到，从2027年启动，NVIDIA正在当先向800V HVDC（高压直流）数据中心电力基础设施过渡，以支捏1MW及以上的IT机架。

英伟达特殊提到了此举背后的合营伙伴，芯片供应商包括英飞凌、纳微半导体、罗姆、意法半导体、德州仪器等。

英飞凌也随之晓谕，正与英伟达合营，开拓基于全新架构的前述800V高压直流（HVDC）系统，英飞凌将为该系统提供硅、碳化硅和氮化镓器件顾问决策。

纳微半导体也提到，英伟达的合营东要支捏为其GPU供电的“Kyber”机架级系统，该系统由GaNFast和GeneSiC电源提供期间支捏。

余陶然向记者分析说念，大家数据中心正资格算力和功率密集度的爆发性增长。英飞凌最新推出的数据中心PSU平时选拔碳化硅（SiC）功率器件，以升迁能效、功率密度和系统可靠性。同期，英伟达晓谕渐渐部署800V高压直流数据中心架构，为SiC器件在高压、高功率运用中的选拔提供了明确的市集驱能源。

“尽管如斯，从合座市集体量来看，新能源汽车在历经当年几年的发展已造成贯通且范围可不雅的市集基础，并在将来3~5年内保捏SiC最大运用范围；比拟之下，数据中心市集天然当今体量尚小，但由于高功率、遵守驱动的接收加快，以及HVDC架构落地带来的系统升级需求，其增速将有望成为SiC运用范围中最快的。”她补充说念。

龚瑞骄也对记者指出，短期内汽车运用仍然是SiC市集的主要驱能源，但AI数据中心具有极高的边缘增量后劲，若将来800V HVDC电力架构被头部玩家平时接收，成漫空间相配可不雅。

集邦商议发布的《2026年十大科技市集趋势预测》中提到，数据中心职业器机柜功率从千瓦级(kW)连忙攀升至兆瓦级(MW)，供电样式正转向800V HVDC架构，以最大限制地提高遵守和可靠性，大幅减少铜缆用量，并支捏更紧凑的系统野心，第三代半导体SiC/GaN恰是罢了这一瞥型的关节。

该机构分析，SiC主要运用于数据中心供电架构的前端、中端方法，认真处理最高电压和最大功率的转念操作。尽管当今SiC功率半导体在最高电压额定值方面仍落伍于传统Si（硅基），但其具备超卓的热性能和开关特质，关于下一代的固态变压器(SST)期间至关紧要。

关于AI职业器范围的契机进展，天岳先进在事迹会上提到，“咱们的衬底居品最终可运用于AI数据中心等末端范围，并已推出规划定制化居品，可为将来潜在需求提供期间复旧。”

2025年碳化硅行业正站在“价钱触底”与“AI增量”的交叉时点：短期看，6英寸衬底价钱渐渐企稳，为行业复苏奠定基础，车规级居品仍是“利润锚点”；永恒看，AI数据中心与AR眼镜将有望成为行业增长的“第二引擎”。